1.系統(tǒng)需包含微納電子器件教學(xué)套件和集成電路工藝教學(xué)套件及教學(xué)多媒體平臺(tái)。 2.微納電子器件教學(xué)套件需包含實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)、USB線、T型轉(zhuǎn)接頭和BNC纜線,主要用于微納電子器件實(shí)驗(yàn)。 ★3. 微納電子器件教學(xué)套件實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)需包含Power,Communication,Device和Environment指示燈; 需包含Test,Model,Teach和Data功能選擇按鈕; 需至少包含如下20個(gè)器件選擇按鈕:NMOS 0.18um,LDMOS,PDSOI,BJT NPN,Diode,Resistor,Capacitor,Varactor,JFET,TFT,SRAM,RO,28nmNMOS,FinFET,FDSOI,GaN,Custom-1,Custom-2,Custom-3,Custom-4; 需包含一塊32乘8點(diǎn)陣屏;需至少包含5個(gè)器件管腳BNC接口,9個(gè)測(cè)試設(shè)備BNC接口,19個(gè)接口指示燈; 需至少包含如下3個(gè)測(cè)試環(huán)境旋鈕:Temperature,Reliability&Time,Radiation。(證明材料:需提供包含上述全部?jī)?nèi)容的實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)實(shí)物照片) 4.微納電子器件教學(xué)套件需能模擬真實(shí)器件測(cè)量過(guò)程,學(xué)習(xí)器件物理和環(huán)境因素的影響;需支持選擇測(cè)量曲線類(lèi)型包括:I_V和C_V;需支持編寫(xiě)測(cè)量腳本、改變器件參數(shù)、測(cè)量數(shù)據(jù)保存;需模擬的測(cè)試儀器包括:半導(dǎo)體參數(shù)分析儀,包含源測(cè)量單元(SMU)和電容電壓?jiǎn)卧?span lang="EN-US">LCR);需支持器件測(cè)量?jī)x器端口相關(guān)線纜的實(shí)操連接;需模擬的測(cè)試環(huán)境包括:測(cè)量溫度,測(cè)量時(shí)間(用于可靠性測(cè)試如HCI,NBTI等)及輻照劑量(用于模擬器件在空間應(yīng)用的相關(guān)特性)。 5.微納電子器件教學(xué)套件需包含微納電子器件實(shí)驗(yàn)課程的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)和實(shí)驗(yàn)答案,至少包括:1:器件測(cè)量設(shè)備及其原理;2:器件測(cè)試腳本語(yǔ)法分析與實(shí)驗(yàn);3:二極管IV特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);4:二極管CV特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);5:BJT輸入特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);6:BJT輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);7:半導(dǎo)體擴(kuò)散電阻測(cè)量實(shí)驗(yàn);8:JFET轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);9:JFET輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);10:JFET柵電流特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);11:TFT轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);12:TFT輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);13:半導(dǎo)體電容器CV測(cè)量實(shí)驗(yàn);14:MOS變?nèi)萜?span lang="EN-US">CV特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);15:180nmNMOS轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);16:180nmNMOS輸出特性測(cè)量;17:180nmNMOS襯偏特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);18:180nmNMOS襯底電流測(cè)量;19:180nmNMOS電容特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);20:SRAM存儲(chǔ)器測(cè)量實(shí)驗(yàn);21:環(huán)形振蕩器測(cè)量實(shí)驗(yàn);22:FDSOI轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);23:FDSOI輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);24:PDSOI轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);25:PDSOI輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);26:PDSOI柵電容測(cè)量實(shí)驗(yàn);27:PDSOI溝道電容測(cè)量實(shí)驗(yàn);28:28nmNMOS轉(zhuǎn)移特性測(cè)量;29:28nmNMOS輸出特性測(cè)量;30:28nmNMOS柵電流特性測(cè)量;31:28nmNMOS襯底偏置特性測(cè)量;32:28nmNMOS襯底電流測(cè);33:28nmNMOS DIBL特性測(cè)量;34:28nmNMOS電容特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);35:FinFET轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);36:FinFET輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);37:FinFET Isub和Ig特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);38:GaN轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);39:GaN輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);40:LDMOS轉(zhuǎn)移特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);41:LDMOS輸出特性測(cè)量實(shí)驗(yàn);42:LDMOS電容特性測(cè)量實(shí)驗(yàn)。 6.集成電路工藝教學(xué)套件需包含實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)、USB線和BNC纜線,主要用于集成電路工藝實(shí)驗(yàn)。 ★7.集成電路工藝教學(xué)套件需包含Power,Communication,Button和Screen指示燈;需包含Process,Layout,Teach和Test功能選擇按鈕;需至少包含如下8個(gè)單步工藝選擇按鈕:Oxidation,Deposit,Lithography,Etch,Implant,Anneal,Diffuse,Epitaxy;需至少包含如下12個(gè)器件成套工藝選擇按鈕:MOSFET,SOI,Diode,BJT,FinFET,Resistor,Varactor,LDMOS,JFET,GaAs,Custom,VR-Process;需包含一塊可觸控液晶屏輸入顯示區(qū);需至少包含5個(gè)器件管腳BNC接口,10個(gè)接口指示燈。(證明材料:需提供包含上述全部?jī)?nèi)容的實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)實(shí)物照片) 8.集成電路工藝教學(xué)套件需能模擬真實(shí)器件制造工藝,學(xué)習(xí)工藝參數(shù)對(duì)器件的影響,支持器件剖面結(jié)構(gòu)及其組成材料的縮放;支持摻雜、電勢(shì)等參數(shù)的色階圖顯示;支持器件結(jié)構(gòu)中各個(gè)材料的網(wǎng)格顯示;支持器件中的摻雜、電勢(shì)等參數(shù)的提取和保存;支持完整器件的成套工藝和完整工序步驟。 9.集成電路工藝教學(xué)套件需包含集成電路工藝實(shí)驗(yàn)課程的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)和實(shí)驗(yàn)答案,至少包括:1:干氧氧化工藝實(shí)驗(yàn);2:濕氧氧化工藝實(shí)驗(yàn);3:離子注入的深度與能量關(guān)系實(shí)驗(yàn);4:離子注入的劑量與摻雜濃度關(guān)系實(shí)驗(yàn);5:離子注入的角度影響實(shí)驗(yàn);6:擴(kuò)散工藝時(shí)間對(duì)摻雜濃度的影響實(shí)驗(yàn);7:擴(kuò)散工藝溫度對(duì)摻雜濃度的影響實(shí)驗(yàn);8:二極管制造實(shí)驗(yàn);9:集成電路電阻制造實(shí)驗(yàn);10:MOSFET制造實(shí)驗(yàn);11:變?nèi)莨苤圃鞂?shí)驗(yàn);12:SOI制造實(shí)驗(yàn);13:FinFET制造實(shí)驗(yàn);14:三極管制造實(shí)驗(yàn);15:LDMOS制造實(shí)驗(yàn);16:JFET制造實(shí)驗(yàn);17:GaAs制造實(shí)驗(yàn)。 10.教學(xué)多媒體平臺(tái)能夠同屏播放多媒體課件等教學(xué)資源,具有多媒體音響等。 |